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半导体器件的制作方法

2017年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本发明提供了一种半导体器件的制作方法。该制作方法包括：提供生长衬底，在生长衬底上制作多个孔洞；在生长衬底上形成外延片，外延片包括位于生长衬底上横向生长的成核层和位于成核层上的器件结构；提供支撑衬底，在器件结构上覆盖胶体，将支撑衬底与胶体粘合固定；将外延片与生长衬底分离；利用支撑衬底将外延片转移至目标载体，并在转移后去除胶体，得到半导体器件。通过上述方式，本发明能够通过外延片转移的方式集成不同材...
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